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參數資料
| 型號： | TIP31E |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（3.0A的,120 - 160V，功率40W） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | TIP31E |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP31F | POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) |
| TIP32D | POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) |
| TIP32E | POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) |
| TIP32F | POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) |
| TIP31D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP31E-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 140V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP31F | 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP31F-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP31G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP31-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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