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參數資料
| 型號： | TIP35C |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 英文描述： | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
| 中文描述： | NPN平面硅晶體管（音頻功率放大器直流到直流轉換器） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | TIP35C |
TIP35C
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR
AUDIO POWER AMPLIFIER
DC TO DC CONVERTER
SC-65
!
High Current Capability
!
High Power Dissipation
!
Complementary to TIP36C
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T
a
=25°
C
)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
100
100
6
15
125
150
-55~150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°
C
)
Characterristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
*DC Current Gain
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE(sat)
IC=5 mA IE=0
IC=10 mA RBE=
∞
IE=5mA IC=0
VCB=50V IE=0
VEB=4V IC=0
VCE=5V IC=1A
VCE=5V IC=5A
IC=5A IB=0.5A
100
100
6
55
20
0.1
0.1
150
1.0
V
V
V
mA
mA
V
Homepage:
http://www.wingshing.com
E-mail: wsccltd@hkstar.com
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP36B | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
| TIP36C | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
| TIP35A | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
| TIP35B | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
| TIP35C | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP35C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93 |
| TIP35C_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| TIP35C_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors |
| TIP35CA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| TIP35CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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