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參數資料
| 型號： | TIP36A |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（第25A ,40 - 100V的，功率為125） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | TIP36A |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP36B | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP36C | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP35 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP35A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP35B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP36AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-218 PNP GP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36BG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors |
| TIP36B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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