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參數資料
| 型號： | TIP41F |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(6A,120-160V,65W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（6A條,120 - 160V，65瓦） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | TIP41F |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP42E | POWER TRANSISTORS(6A,120-160V,65W) |
| TIP42F | POWER TRANSISTORS(6A,120-160V,65W) |
| TIP50 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP50 | SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS |
| TIP48 | SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP41G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 40V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP41MOT83 | 制造商:Motorola 功能描述:TIP41 |
| TIP41-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP41TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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