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參數(shù)資料
| 型號： | TIPL763 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至218AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | TIPL763 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP50 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220AB |
| STP51 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA |
| STP52 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
| STP53 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP54 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIPL763A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AA |
| TIPL765 | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TIPL765A | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL765A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIPL765-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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