型號: | TLP626-2 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | Photocoupler (GaAs IRED+Photo Transistor)(雙通道光耦(砷化鎵紅外線發光二極管+光電晶體管)) |
中文描述: | 光耦合器(砷化鎵登記合格決定光敏三極管)(雙通道光耦(砷化鎵紅外線發光二極管光電晶體管)) |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大小: | 385K |
代理商: | TLP626-2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TLP626-4 | Photocoupler (GaAs IRED+Photo Transistor)(4通道光耦(砷化鎵紅外線發光二極管+光電晶體管)) |
TLP627 | Single Photocoupler (Consisting of GaALAs Light emitting Diode and Photo-Transistor)(單光電耦合器(含GaALAs發光二極管和光電晶體管)) |
TLP627-2 | Double Photocoupler (Consisting of GaALAs Light emitting Diode and Photo-Transistor)(雙光電耦合器(含GaALAs發光二極管和光電晶體管)) |
TLP627-4 | Four Photocoupler (Consisting of GaALAs Light emitting Diode and Photo-Transistor)(四光電耦合器(含GaALAs發光二極管和光電晶體管)) |
TLP795G | Photo Relay (GaAs IRED+Photo MOSFET)(光電繼電器(砷化鎵紅外線發光二極管+光電MOSFET)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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TLP626-2(F) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 TR 2 CH AC/LOW INPUT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
TLP626-3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:12PIN DIP 3-CHANNELS TYPE |
TLP626-4 | 功能描述:PHOTOCPLR DL AC IN TRANOUT 16DIP RoHS:否 類別:隔離器 >> 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 通道數:2 輸入類型:DC 電壓 - 隔離:2500Vrms 電流傳輸比(最小值):7% @ 16mA 電流傳輸比(最大):50% @ 16mA 輸出電壓:20V 電流 - 輸出 / 通道:8mA 電流 - DC 正向(If):25mA Vce飽和(最大):- 輸出類型:有 Vcc 的晶體管 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.400",10.16mm) 包裝:管件 其它名稱:HCPL-2530W |
TLP626-4(BV,F) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 TR AC/LOW INPUT CTR=200%MIN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
TLP626-4(F) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 55Vceo 5000Vrms 4 channels RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |