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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS636802DGE-10 |
| 英文描述： | x8 SDRAM |
| 中文描述： | x8 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/36頁(yè) |
| 文件大小： | 1722K |
| 代理商： | TMS636802DGE-10 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS636802DGE-12 | x8 SDRAM |
| TMS636802DGE-15 | x8 SDRAM |
| TMS664164DGE-10 | SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664164DGE-8 | SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664164DGE-8A | SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS636802DGE-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| TMS636802DGE-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| TMS63D/S-24 | 制造商:MORNSUN 制造商全稱:MORNSUN 功能描述:mV-LEVEL SIGNAL AMPLIFIER |
| TMS664164 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS66416410 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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