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參數(shù)資料
| 型號： | TN2219 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至237VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 357K |
| 代理商： | TN2219 |
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PDF描述 |
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| TN392 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-237VAR |
| TN393 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-237VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN2219A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2219A D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R |
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| TN2219A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2219A_J05Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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