型號: | TN3019 |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Power Transistors |
中文描述: | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA |
封裝: | TO-237, 3 PIN |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 50K |
代理商: | TN3019 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
TN3020 | CONNECTOR ACCESSORY |
TN3724 | Power Transistors |
TN3725 | CONNECTOR ACCESSORY |
TN2219A | NPN General Purpose Amplifier |
TN3725 | NPN Switching Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
TN3019A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TN3019A_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
TN3019A_J05Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TN3019A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TN3020 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Power Transistors |