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參數資料
型號: TN640
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | TO-237
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁|至237
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 357K
代理商: TN640
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PDF描述
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參數描述
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TN6-40-832-2 功能描述:STURDIPOST INS/STUD 2 1/2X3/8" RoHS:是 類別:硬件,緊固件,配件 >> 電路板襯墊,支座 系列:TNSP 標準包裝:1,000 系列:900 類型:圓形,無螺紋,母形/母形 尺寸:0.156"(3.96mm)5/32" 外徑 螺紋/螺釘/孔尺寸:0.063"(1.60mm)內徑 長度 - 總體:1.210"(30.73mm) 材質:尼龍 顏色:自然色 鍍層:- 板間高度:1.210" (30.73mm)
TN6-40-832-3 功能描述:STURDIPOST STUD/STUD 2 1/2X3/8" RoHS:是 類別:硬件,緊固件,配件 >> 電路板襯墊,支座 系列:TNSP 標準包裝:1,000 系列:900 類型:圓形,無螺紋,母形/母形 尺寸:0.156"(3.96mm)5/32" 外徑 螺紋/螺釘/孔尺寸:0.063"(1.60mm)內徑 長度 - 總體:1.210"(30.73mm) 材質:尼龍 顏色:自然色 鍍層:- 板間高度:1.210" (30.73mm)
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TN6705A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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