- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄368644 > TN6581-6 Analog IC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN6581-6 |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 666K |
| 代理商： | TN6581-6 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN6581-7 | Analog IC |
| TN6581-8 | Analog IC |
| TN6581-9 | Analog IC |
| TN6582-1 | Analog IC |
| TN6582-10 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN6705A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6707A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN Center Collector RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6707A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN Center Collector RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。