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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TPS1101DW |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 連接器附件 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | TPS1101DW |
TPS1101, TPS1101Y
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
SLVS079C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995
8
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TYPICAL CHARACTERISTICS
– 6
– 4
– 2
0
0
4
6
10
– 8
GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
vs
GATE CHARGE
– 10
2
8
12
Qg – Gate Charge – nC
VDS = –10 V
ID = –1 A
TJ = 25
°
C
–
VG
Figure 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS1101PW | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1101Y | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1101YDW | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1120YD | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1120Y | CONNECTOR ACCESSORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPS1101PW | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PWLE | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PWR | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101PWRG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101Y | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
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