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參數資料
型號： TPS7230QDRG4
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： MICROPOWER LOW-DROPOUT (LDO) VOLTAGE REGULATORS
中文描述： 微功率低壓差（LDO）穩壓器
文件頁數： 9/37頁
文件大小： 581K
代理商： TPS7230QDRG4
TPS7201Q, TPS7225Q, TPS7230Q
TPS7233Q, TPS7248Q, TPS7250Q, TPS72xxY
MICROPOWER LOW-DROPOUT (LDO) VOLTAGE REGULATORS
SLVS102G – MARCH 1995 – REVISED JUNE 2000
9
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TPS7230Q electrical characteristics, I
O
= 10 mA, V
I
= 4 V, EN = 0 V, C
O
= 4.7
μ
F (CSR
= 1
), SENSE
shorted to OUT (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
TJ
TPS7230Q
TYP
UNIT
MIN
MAX
Output voltage
VI = 4 V,
4 V
≤
VI
≤
10 V,
IO = 10 mA
5 mA
≤
IO
≤
250 mA
25
°
C
3
V
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
–40
°
C to 125
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
2.94
3.06
IO= 100 mA
IO = 100 mA,
VI= 2 97 V
VI = 2.97 V
145
185
Dropout voltage
270
mV
IO= 250 mA
IO = 250 mA,
VI= 2 97 V
VI = 2.97 V
390
502
900
Pass element series resistance
Pass-element series resistance
(2.97 V – VO)O,
IO = 250 mA
VI = 2.97 V,
1.56
2.01
3.6
Input regulation
VI= 4 V to 10 V
VI = 4 V to 10 V,
μ
≤
50
A
IO
≤
250 mA
9
27
mV
33
IO= 5 mA to 250 mA
IO = 5 mA to 250 mA,
≤
4 V
VI
≤
10 V
34
45
Output regulation
74
mV
IO= 50
μ
IO = 50
A to 250 mA,
≤
4 V
VI
≤
10 V
42
60
98
IO= 50
μ
IO = 50
A
45
56
Ripple rejection
f = 120 Hz
44
dB
IO= 250 mA
IO = 250 mA
40
45
38
Output noise spectral density
f = 120 Hz
2
μ
V/
√
Hz
≤
≤
10 Hz
f
100 kHz,
CSR= 1
CO = 4.7
μ
F
CO = 10
μ
F
CO = 100
μ
F
256
Output noise voltage
206
μ
Vrms
CSR = 1
132
PG trip-threshold voltage
VO voltage decreasing from above VPG
–40
°
C to 125
°
C
0.95
×
VO(nom)
V
PG hysteresis voltage
25
°
C
50
mV
PG output low voltage
IPG= 1 2 mA
IPG = 1.2 mA,
VI= 2 55 V
VI = 2.55 V
25
°
C
0.25
0.44
0.44
V
–40
°
C to 125
°
C
CSR refers to the total series resistance, including the ESR of the capacitor, any series resistance added externally, and PWB trace resistance
to CO.
Pulse-testing techniques are used to maintain virtual junction temperature as close as possible to ambient temperature; thermal effects must
be taken into account separately.
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