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參數資料
| 型號： | TS420 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 4A SCRs |
| 中文描述： | 第4A可控硅 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | TS420 |
TS420 Series
5/8
Fig. 10:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 11:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m)
(DPAK).
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.1
1.0
10.0
50.0
ITM(A)
Tj max.:
Vto = 0.85V
Rd = 90m
Tj = Tj max.
Tj = 25°C
VTM(V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
Rth(j-a) (°C/W)
S(cm
2
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS420-600B-TR | 4A SCRs |
| TS420-600H-TR | 4A SCRs |
| TS420-600T-TR | 4A SCRs |
| TS420-700B-TR | 4A SCRs |
| TS420-700H-TR | 4A SCRs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TS420-400B-TR | 功能描述:SCR 4.0 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS420-600B | 功能描述:SCR 4.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS420-600BTR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| TS420-600B-TR | 功能描述:SCR 4.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS420-600H | 功能描述:SCR 4.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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