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參數資料
型號: TS555IDT
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 模擬波形發生器
英文描述: PULSE; RECTANGULAR, 2 MHz, TIMER, PDSO8
封裝: MICRO, PLASTIC, SO-8
文件頁數: 2/20頁
文件大小: 232K
代理商: TS555IDT
Electrical characteristics
TS555
10/20
Table 9.
Static electrical characteristics
VCC = +12 V, Tamb = +25° C, Reset to VCC (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICC
Supply current (no load, high and low states)
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
170
400
A
VCL
Control voltage level
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
7.4
7.3
88.6
8.7
V
VDIS
Discharge saturation voltage (Idis = 80 mA)
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
0.09
1.5
2.0
V
IDIS
Discharge pin leakage current
1
100
nA
VOL
Low level output voltage (Isink = 50 mA)
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
1.2
2
2.8
V
VOH
High level output voltage (Isource = -10 mA)
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
10.5
11
V
VTRIG
Trigger voltage
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
3.2
3.1
44.8
4.9
V
ITRIG
Trigger current
10
pA
ITH
Threshold current
10
pA
VRESET
Reset Voltage
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax
0.4
0.3
1.1
1.5
2.0
V
IRESET
Reset current
10
pA
Table 10.
Dynamic electrical characteristics
VCC = +12 V, Tamb = +25° C, Reset to VCC (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Timing accuracy (monostable) (1)
R = 10 k
Ω, C = 0.1 F, VCC = +12 V
1.
4%
Timing shift with supply voltage variations
(monostable) (1)
R = 10 k
Ω, C = 0.1 F, VCC = +5 V ±1 V
0.38
%/V
Timing shift with temperature
Tmin. ≤Tamb ≤Tmax., VCC = +5 V
75
ppm/°C
fmax
Maximum astable frequency (2)
RA = 470 Ω, RB = 200 Ω, C = 200 pF, VCC = +5 V
2.
2.7
MHz
Astable frequency accuracy
RA = RB = 1 kΩ to 100 kΩ, C = 0.1 F,
VCC = +12 V
3%
Timing shift with supply voltage variations
(astable mode)
RA = RB = 1 kΩ to 100 kΩ, C = 0.1 F,
VCC = 5 to +12 V
0.1
%/V
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