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參數(shù)資料
| 型號： | TS820-600B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8A SCRs |
| 中文描述： | 8A條可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | TS820-600B |
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MAIN FEATURES:
TN8, TS8 and TYNx08 Series
SENSITIVE & STANDARD
8A SCRs
April 2002 - Ed: 4A
DESCRIPTION
Available either in sensitive (TS8) or standard
(TN8 / TYN) gate triggering levels, the 8A SCR
series is suitable to fit all modes of control, found
in applications such as overvoltage crowbar
protection, motor control circuits in power tools
and kitchen aids, inrush current limiting circuits,
capacitive
discharge
regulation circuits...
Available in through-hole or surface-mount
packages, they provide an optimized performance
in a limited space area.
ignition
and
voltage
Symbol
Value
Unit
I
T(RMS)
8
A
V
DRM
/V
RRM
600 to 1000
V
I
GT
0.2 to 15
mA
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
I
T(RMS)
RMS on-state current (180° conduction angle)
Tc = 110°C
8
A
IT
(AV)
Average on-state current (180° conduction angle)
Tc = 110°C
5
A
TS8/TN8
TYN
I
TSM
Non repetitive surge peak on-state
current
tp = 8.3 ms
Tj = 25°C
73
100
A
tp = 10 ms
70
95
I
2
t
I
2
t Value for fusing
tp = 10 ms
Tj = 25°C
24.5
45
A
2
S
dI/dt
Critical rate of rise of on-state current
I
G
= 2 x I
GT
, tr
≤
100 ns
F = 60 Hz
Tj = 125°C
50
A/μs
I
GM
Peak gate current
tp = 20 μs
Tj = 125°C
4
A
P
G(AV)
Average gate power dissipation
Tj = 125°C
1
W
T
stg
Tj
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
- 40 to + 150
- 40 to + 125
°C
V
RGM
Maximum peak reverse gate voltage (for TN8 & TYN only)
5
V
A
K
G
A
G
A
K
DPAK
(TS8-B)
(TN8-B)
A
A
K
G
IPAK
(TS8-H)
(TN8-H)
A
A
K
G
G
A
A
K
TO-220AB
(TS8-T)
TO-220AB
(TYNx)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN805-700B | SCR’s |
| TN805-800B | SCR’s |
| TN805 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TN805-400B | SCR’s |
| TN805-600B | SCR’s |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TS820-600B-TR | 功能描述:SCR 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS820-600FP | 功能描述:SCR 8A Sens Gate SCR 600V 800V 0.2 to15mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS820-600H | 功能描述:SCR 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TS820-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A SCRs |
| TS820-600T | 功能描述:SCR 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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