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參數資料
| 型號： | TS864ID |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 比較器 |
| 英文描述： | RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
| 中文描述： | 軌至軌微功耗BICMOS工藝比較器 |
| 文件頁數： | 5/15頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | TS864ID |
TS861-TS862-TS864
5/15
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= +10V
T
amb
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
io
Input Offset Voltage (V
ICM
= V
CC
/ 2 )
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
3
15
18
mV
V
io
Input Offset Voltage Drift
6
μ
V/
°
C
I
io
Input Offset Current
1)
Tmin<T<Tmax
1. Maximum values including unavoidable inaccurates of the industrial test.
2. Design evaluation
3. Limits are 100% production tested at 25
°
C. Limits over temperature are guaranteed through correlation and by design.
1
150
300
pA
I
ib
Input Bias Current
1)
Tmin<T<Tmax
1
300
600
pA
V
OH
High Level Output Voltage
Isource=5mA
Tmin<T<Tmax
9.6
9.45
9.8
V
V
OL
Low Level Output Voltage
Isink=5mA
Tmin<T<Tmax
0.2
0.4
0.55
V
A
vd
Large Signal Voltage Gain
2)
240
dB
CMR
Common Mode Rejection Ratio
0 < V
ICM
< 10V
75
dB
SVR
Supply Voltage Rejection Ratio
2.7 < Vcc < 10V
80
dB
I
CC
Supply current per comparator
no load, output low
no load, output high
7
10
14
16
μ
A
Tplh
Propagation delay from output low to output high
V
ICM
=5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
3
0.5
μ
s
Tphl
Propagation delay from output high to output low
V
ICM
=5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
2.6
0.4
μ
s
Tf
Fall time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
Tr
Rise time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| TS864IPT | 功能描述:校驗器 IC MicroPwr BICMOS COMPARATORS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品: 比較器類型: 通道數量: 輸出類型:Push-Pull 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.1 V 補償電壓（最大值）:6 mV 電源電流（最大值）:1350 nA 響應時間: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-70-5 封裝:Reel |
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| TS865C04R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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