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參數資料
| 型號： | TSA5527AM |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | XO, clock |
| 英文描述： | 1.3 GHz universal bus-controlled TV synthesizers |
| 中文描述： | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 1300 MHz, PDSO16 |
| 封裝： | 4.40 MM, PLASTIC, SSOP-16 |
| 文件頁數： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | TSA5527AM |
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1996 Sep 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
1.3 GHz universal bus-controlled
TV synthesizers
TSA5526; TSA5527
QUICK REFERENCE DATA
Notes
1.
2.
One band switch buffer ON, I
o
= 40 mA.
One band switch buffer ON, I
o
= 40 mA; two buffers ON, maximum sum of I
o
= 50 mA.
The power dissipation is calculated as follows:
3.
k
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
4.5
V
CC1
64
25
28
15
3.2
4
TYP.
MAX.
5.5
13.5
25
55
1300
3
3
3
4.48
50
UNIT
V
CC1
V
CC2
I
CC1
I
CC2
f
RF
V
i(RF)
supply voltage (+5 V)
band switch supply voltage (12 V)
supply current
band switch supply current
RF input frequency
RF input voltage
12
20
50
4.0
V
V
mA
mA
MHz
dBm
dBm
dBm
MHz
mA
note 1
f
i
= 80 to 150 MHz
f
i
= 150 to 1000 MHz
f
i
= 1000 to 1300 MHz
f
xtal
I
o(PNP)
crystal oscillator input frequency
PNP band switch buffers output
current
total power dissipation
storage temperature
operating ambient temperature
note 2
P
tot
T
stg
T
amb
note 3
40
20
250
400
+150
+85
mW
°
C
°
C
P
D
V
CC1
I
CC1
V
CC2
I
CC2
I
o
–
(
)
I
o
V
CE satPNP
)
V33 2
(
)
2
27
+
×
+
×
+
×
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSA5527AT | 1.3 GHz universal bus-controlled TV synthesizers |
| TSB12LV32-EP | IC APEX 20KE FPGA 100K 324-FBGA |
| TSB12LV01B-EP | FPGA (Field-Programmable Gate Array) |
| TSB12LV01BPZ | FPGA (Field-Programmable Gate Array) |
| TSB12LV26-EP | 672-pin FineLine BGA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TSA5527AT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1.3 GHz universal bus-controlled TV synthesizers |
| TSA5527M | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1.3 GHz universal bus-controlled TV synthesizers |
| TSA5527T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1.3 GHz universal bus-controlled TV synthesizers |
| TSA5888 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Low Vcesat PNP Transistor High allowable power dissipation. |
| TSA5888CY RMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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