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參數資料
型號: TSG25N100DV
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 50A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 50A條一(c)
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 397K
代理商: TSG25N100DV
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PDF描述
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TSG40N120CE C0G 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 40A IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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