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參數(shù)資料
型號: TSI
英文描述: TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE
中文描述: Set接口端子保護和二極管橋
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 160K
代理商: TSI
TSIxxB1
7/9
Type
I
RM
@ V
RM
V
BO
@ I
BO
I
H
I
BO
C
note1
note2
note1
note3
μ
A
max.
V
V
mA
mA
mA
pF
max.
min.
min.
max.
typ.
TSI62B1
1
5
50
62
90
150
50
400
200
TSI180B1
1
5
50
180
250
150
50
400
200
TSI200B1
1
5
50
200
290
150
50
400
200
TSI220B1
1
5
50
220
330
150
50
400
200
TSI265B1
1
5
50
265
380
150
50
400
200
Note 1 :
Measured at 50 Hz, one cycle
Note 2 :
See test cricuit
Note 3 :
VR= 0V, F = 1MHz, between pins 1 and 8.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C)
1 - PROTECTION DEVICES PARAMETERS
Symbol
Test condition
Value
Unit
V
F
(for one diode)
I
F
= 20 mA
I
F
= 100 mA
0.9
1.1
V
V
2 - DIODE BRIDGE PARAMETERS
FUNCTIONAL HOLDING CURRENT (I
H
) TEST CIRCUIT : GO - NO GO TEST
This is a GO-NOGO Test which allows to confirm the holding current (I
H
) level in a functional
test circuit.
TEST PROCEDURE :
I
1) Adjust the current level at the I
H
value by short circuiting the D.U.T.
2) Fire the D.U.T with a surge Current : Ipp = 10A , 10/1000
μ
s.
3) The D.U.T will come back off-state within a duration of 50 ms max.
R
- V
P
V
BAT
= - 48 V
Surge generator
D.U.T.
相關PDF資料
PDF描述
TSI180B1RL TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE
TSI200B1RL TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE
TSI220B1RL TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE
TSKS5412X01 GaAs Infrared Emitting Diode in Side View Package
TSL220
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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