- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365983 > TSM67V05-V55M4M x8 Dual-Port SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TSM67V05-V55M4M |
| 英文描述： | x8 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x8雙端口SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/22頁 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | TSM67V05-V55M4M |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSM67V05-L55CRQ | x8 Dual-Port SRAM |
| TSM67V05-L55CSM | x8 Dual-Port SRAM |
| TSM67V05-L55I4M | x8 Dual-Port SRAM |
| TSM67V05-L55I8M | x8 Dual-Port SRAM |
| TSM67V05-L55IQM | x8 Dual-Port SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSM67V05-V55M8M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| TSM67V05-V55MQM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| TSM6866D | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:20V Dual N-Channel MOSFET |
| TSM6866D_07 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:20V Dual N-Channel MOSFET |
| TSM6866DCA | 功能描述:MOSFET Dual 20V N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。