欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: TT162N
英文描述: SCR / Diode Modules
中文描述: SCR /二極管模塊
文件頁數: 1/12頁
文件大?。?/td> 394K
代理商: TT162N
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT162N
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
A513MT
1/12
Seite/page
Kenndaten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TT162N
TD162N
DT162N
TT162N...-K
TD162N...-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
1600
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1200
1400
1600
V
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1500
1700
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
260 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
I
TAVM
162 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
5200
4400
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs
I2t
135000
97000
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
150 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter C
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
500
1000
V/μs
V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 500 A
v
T
max.
1,41 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,95 m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
150 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
10
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs,
t
g
= 20 μs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
I
L
max.
800 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
i
D
, i
R
max.
30 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6T
vj
= 25 °C,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs
t
gd
max.
3 μs
prepared by: C.Drilling
date of publication:
04.07.02
approved by: J.Novotny
revision:
1
相關PDF資料
PDF描述
TT170N SCR / Diode Modules
TT170N06KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|600V V(RRM)|170A I(T)
TT170N06KOF-A THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CA|600V V(RRM)|170A I(T)
TT170N06KOF-K THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|170A I(T)
TT170N18KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.8KV V(RRM)|170A I(T)
相關代理商/技術參數
參數描述
TT162N08KOF 功能描述:SCR模塊 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT162N08KOF-K 功能描述:SCR PCT 800V 162A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TT162N12KOF 功能描述:分立半導體模塊 1200V 260A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT162N12KOF-A 功能描述:SCR PCT 1200V 162A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TT162N12KOF-K 功能描述:SCR PCT 1200V 162A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 左贡县| 都江堰市| 林芝县| 石楼县| 美姑县| 敦煌市| 郯城县| 于都县| 鸡西市| 尚志市| 新闻| 离岛区| 丹棱县| 中牟县| 东至县| 聊城市| 和静县| 汶川县| 平江县| 新晃| 保康县| 饶阳县| 武汉市| 乳源| 巴彦县| 虹口区| 蕉岭县| 民丰县| 常熟市| 苏尼特右旗| 大荔县| 五寨县| 温州市| 屯留县| 砀山县| 嘉定区| 天津市| 金沙县| 遂平县| 望都县| 金塔县|