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參數資料
型號: TT8M2TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8
標準包裝: 3,000
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V,20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSST
供應商設備封裝: 8-TSST
包裝: 帶卷 (TR)
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