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參數資料
| 型號： | TZMB8V2 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | TZMB8V2 |
TZMB...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85610
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Available with tighter tolerances
Very high stability
Low noise
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
94 9371
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TZMB | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZMB6V8 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZMB75 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZMB51 | BNC Adapter; Contact Termination:Clamp/Solder RoHS Compliant: Yes |
| TZMB56 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TZMB8V2-GS08 | 功能描述:穩壓二極管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZMB8V2-GS18 | 功能描述:穩壓二極管 8.2 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZMB8V2-M | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| TZMB9V1 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZMB9V1GS08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Zener Single 9.1V 2% 500mW |
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