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參數資料
| 型號： | TZQ5221B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗500mW的硅外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面穩壓二極管（500mW的功率損耗的硅外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | TZQ5221B |
TZQ5221B...TZQ5267B
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85612
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Available with tighter tolerances
Very high stability
Low noise
Applications
Voltage stabilization
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| TZQ5221B-GS18 | 功能描述:穩壓二極管 2.4 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZQ5222B | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
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