- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄300048 > TZQ5252B-GS08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TZQ5252B-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | TZQ5252B-GS08 |
TZQ5221B to TZQ5267B
Vishay Semiconductors
9612009
Document Number 85612
Rev. 1.8, 15-Sep-10
www.vishay.com
1
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Available with tighter tolerances
Very high stability
Low noise
VZ - tolerance ± 5 %
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Applications
Voltage stabilization
Mechanical Data
Case: QuadroMELF SOD-80
Weight: approx. 34 mg
Packaging codes/options:
GS18/10K per 13" reel 10K/box
GS08/2.5K per 7" reel 12.5K/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
RthJA ≤ 300 K/W
Ptot
500
mW
Z-current
IZ
Ptot/VZ
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65 to + 175
°C
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient air
On PC board 50 mm x 50 mm x 1.6 mm
RthJA
500
K/W
Parameter
Test condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
IF = 200 mA
VF
1.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TZS4687 | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| TZS4700 | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| U2-016 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 7A, 28VDC, 1.27mm, PANEL MOUNT |
| U632H16SK25G1 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO28 |
| U811SY4ZGE | PUSHBUTTON SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1A, 28VDC, PANEL MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TZQ5252B-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 24 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZQ5253B | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| TZQ5253B-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 25 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZQ5253B-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 25 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZQ5254B | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。