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ULN2002AS2ZE

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ULN2002AS2ZE 技術參數

ULN2002AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ULN2002A 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel ULN2001D1013TR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 ULN2001A 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-DIP 標準包裝:25 ULH2W5R6MNL1GS 功能描述:5.6μF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 4000 Hrs @ 125°C 制造商:nichicon 系列:ULH 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:5.6μF 容差:±20% 額定電壓:450V ESR（等效串聯電阻）:- 不同溫度時的使用壽命:125°C 時為 4000 小時工作溫度:-40°C ~ 125°C 極化:極化應用:通用紋波電流:40mA @ 120Hz 阻抗:- 引線間距:- 大小/尺寸:0.394" 直徑（10.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.571"（14.50mm）表面貼裝焊盤尺寸:0.406" 長 x 0.406" 寬（10.30mm x 10.30mm）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:徑向，Can - SMD 標準包裝:1 ULN2003ADRG3 ULN2003ADRG4 ULN2003AFWG,O,N,E ULN2003AID ULN2003AIDE4 ULN2003AIDG4 ULN2003AIDR ULN2003AIDRE4 ULN2003AIDRG4 ULN2003AIN ULN2003AINE4 ULN2003AING4 ULN2003AINSR ULN2003AIPW ULN2003AIPWE4 ULN2003AIPWG4 ULN2003AIPWR ULN2003AIPWRG4