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ULN2009ADR

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ULN2009ADR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ULN2009ADR 技術參數

ULN2004D1013TR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 ULN2004AS16-13 功能描述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 ULN2004ANSR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 ULN2004AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-DIP 標準包裝:25 ULN2004AINSR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 ULN2802A ULN2803A ULN2803ADW ULN2803ADWG4 ULN2803ADWR ULN2803ADWRG4 ULN2803AFWG,C,EL ULN2803AN ULN2803ANE4 ULN2803APG,CN ULN2804A ULN2804AFWG,C,EL ULN2804APG,N ULN2805A ULP12EEP1QSSCL1GRNNIL ULP12EEP1RSSCL1BLUGRN ULP12OAM1RPMCL1BLURED ULP12OAM1RPMCL1REDGRN