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參數(shù)資料
型號(hào): U630H64BDK35
英文描述: NVRAM (EEPROM Based)
中文描述: NVRAM中(EEPROM的基礎(chǔ))
文件頁數(shù): 5/14頁
文件大小: 143K
代理商: U630H64BDK35
5
November 01, 2001
U630H64
High Impedance
Read Cycle 1: Ai-controlled (during Read cycle: E = G = V
IL
, W = NE = V
IH
)
f
t
a(A)
Previous Data Valid
Output Data Valid
t
cR
Address Valid
t
v(A)
Ai
DQi
Output
Read Cycle 2: G-, E-controlled (during Read cycle: W = NE = V
IH
)
g
Ai
E
G
t
dis(E)
t
cR
t
a(E)
t
en(E)
t
en(G)
t
a(G)
t
dis(G)
Address Valid
t
a(A)
(2)
Output Data Valid
I
CC
ACTIVE
STANDBY
t
PD
t
PU
No.Switching Characteristics
Write Cycle
Symbol
25
35
45
Unit
Alt. #1
Alt. #2
IEC
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
12 Write Cycle Time
t
AVAV
t
AVAV
t
cW
25
35
45
ns
13 Write Pulse Width
t
WLWH
t
w(W)
20
30
35
ns
14 Write Pulse Width Setup Time
t
WLEH
t
su(W)
20
30
35
ns
15 Address Setup Time
t
AVWL
t
AVEL
t
su(A)
0
0
0
ns
16 Address Valid to End of Write
t
AVWH
t
AVEH
t
su(A-WH)
20
30
35
ns
17 Chip Enable Setup Time
t
ELWH
t
su(E)
20
30
35
ns
18 Chip Enable to End of Write
t
ELEH
t
w(E)
20
30
35
ns
19 Data Setup Time to End of Write
t
DVWH
t
DVEH
t
su(D)
12
18
20
ns
20 Data Hold Time after End of Write
t
WHDX
t
EHDX
t
h(D)
0
0
0
ns
21 Address Hold after End of Write
t
WHAX
t
EHAX
t
h(A)
0
0
0
ns
22 W LOW to Output in High-Z
h, i
t
WLQZ
t
dis(W)
10
13
15
ns
23 W HIGH to Output in Low-Z
t
WHQX
t
en(W)
5
5
5
ns
(1)
(2)
(9)
(1)
(3)
(4)
(5)
(7)
(6)
(8)
10
(11)
DQi
Output
相關(guān)PDF資料
PDF描述
U630H64BDK45 Low noise JFET single operational amplifier
U630H64BSC25 Low noise JFET single operational amplifier
U630H64BSC35 Low noise JFET single operational amplifier
U630H64BSC45 Low noise JFET dual operational amplifiers
U630H64BSK25 Low noise JFET dual operational amplifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
U630H64BDK45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U630H64BSC25 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
U630H64BSC35 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U630H64BSC45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U630H64BSK25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
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