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參數(shù)資料
| 型號： | U630H64BSC45 |
| 英文描述： | Low noise JFET dual operational amplifiers |
| 中文描述： | NVRAM中（EEPROM的基礎(chǔ)） |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | U630H64BSC45 |
8
November 01, 2001
U630H64
t
su(G)S
t
su(N)S
(27)
t
w(W)S
t
su(E)S
t
d(W)S
t
su(N)S
t
su(G)S
t
su(W)S
t
w(E)S
t
d(E)S
High Impedance
High Impedance
(25)
(29)
(26)
(28)
(30)
(31)
(33)
(32)
(34)
NE
G
W
E
DQi
Output
NE
W
E
DQi
Output
G
STORE Cycles
No.
STORE Cycle W-controlled
Symbol
Min.
Max.
Unit
Alt.
IEC
25
STORE Cycle Time
m
t
WLQX
t
d(W)S
10
ms
26
STORE Initiation Cycle Time
n
t
WLNH
t
w(W)S
25
ns
27
Output Disable Setup to NE Fall
t
GHNL
t
su(G)S
5
ns
28
NE Setup
t
NLWL
t
su(N)S
5
ns
29
Chip Enable Setup
t
ELWL
t
su(E)S
5
ns
STORE Cycle: W-controlled
o
No.
STORE Cycle E-controlled
Symbol
Min.
Max.
Unit
Alt.
IEC
30
STORE Cycle Time
t
ELQXS
t
d(E)S
10
ms
31
STORE Initiation Cycle Time
t
ELNHS
t
w(E)S
25
ns
32
Output Disable Setup to E Fall
t
GHEL
t
su(G)S
5
ns
33
NE Setup
t
NLEL
t
su(N)S
5
ns
34
Write Enable Setup
t
WLEL
t
su(W)S
5
ns
STORE Cycle: E-controlled
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| U630H64BSK25 | Low noise JFET dual operational amplifiers |
| U630H64BSK35 | NVRAM (EEPROM Based) |
| U630H64BSK45 | Low noise JFET dual operational amplifiers |
| U630H64DC25 | Low noise JFET dual operational amplifiers |
| U630H64DC35 | NVRAM (EEPROM Based) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| U630H64BSK25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
| U630H64BSK35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
| U630H64BSK45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
| U630H64DC25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
| U630H64DC35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
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