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參數(shù)資料
| 型號： | UC3610DW |
| 英文描述： | Power management for multimedia application processors |
| 中文描述： | 橋/環(huán)二極管陣列|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | UC3610DW |
SLUS339A
–
JUNE 1993
–
REVISED MAY 2001
2
www.ti.com
N OR J PACKAGE
TOP VIEW
DW PACKAGE
TOP VIEW
absolute maximum ratings over operating free-air temperature (unless otherwise noted)
Peak inverse voltage (per diode)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak forward current
UC1611
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
UC2610
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
UC3611
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Power dissipation at T
A
= 70
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage temperature range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50 V
1 A
1 A
3 A
1 W
–
65
°
C to 150
°
C
300
°
C
Stresses beyond those listed under
“
absolute maximum ratings
”
may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
“
recommended operating conditions
”
is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
Consult packaging section of databook for thermal limitations and considerations of package.
electrical characteristics, all specifications apply to each individual diode, T
J
= 25
°
C, T
A
= T
J
,
(except as noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
0.35
TYP
0.5
MAX
UNITS
V
Forward voltage drop
IF = 100 mA
IF = 1 A
VR = 40 V
VR = 40 V,
0.5 A forward to 0.5 A reverse
0.7
0.8
1.0
1.3
V
Leakage c rrent
Leakage current
0.01
0.1
mA
TJ = 100
°
C
0.1
1.0
mA
Reverse recovery
15
ns
Forward recovery
1 A forward to 1.1 V recovery
30
ns
Junction capacitance
NOTE: At forward currents of greater than 1.0 A, a parasitic current of approximately 10 mA may be collected by adjacent diodes.
VR = 5 V
70
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UC3610DWTR | Power management for multimedia application processors |
| UC3610J | Power management for multimedia application processors |
| UC3610N | Power management for multimedia application processors |
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| UC3611DW | ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UC3610DWG4 | 功能描述:橋式整流器 Dual Schottky Diode Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| UC3610DWTR | 功能描述:橋式整流器 Dual Schottky Diode Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| UC3610DWTRG4 | 功能描述:橋式整流器 Dual Schottky Diode Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| UC3610J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BRIDGE/RING DIODE ARRAY|SO |
| UC3610N | 功能描述:橋式整流器 Dual Schottky Diode Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
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