型號: | ULQ2004A-Q1 |
英文描述: | N-CHANNEL 200V - 0.150 Ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
中文描述: | 汽車產品高電壓。大電流達林頓晶體管陣列 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 189K |
代理商: | ULQ2004A-Q1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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ULQ2004R | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
ULQ2013A | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
UM62L256-10LL | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 |
UM62L256-10L | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 |
UM62L256M-10LL | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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ULQ2004ATDQ1 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY |
ULQ2004ATDRG4Q1 | 功能描述:達林頓晶體管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
ULQ2004ATDRQ1 | 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
ULQ2004D1 | 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
ULQ2004D1013TR | 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |