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參數資料
| 型號： | UMC4N |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| 中文描述： | 電源管理（雙數字晶體管）（電源管理（雙數字晶體管）） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | UMC4N |
(96-398-A114Y/C144E)
External dimensions (Units: mm)
520
Transistors
Power management
(dual digital transistors)
UMC4N / FMC4A
Features
1) Both the DTA114Y chip and
DTC144E chip in a UMT or SMT
package.
2) Ideal for power switching circuits.
3) Mounting cost and area can be cut
in half.
Structure
Epitaxial planar type
NPN/PNP silicon transistor
(Built-in resistor type)
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMC5N | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| UMD22N | General purpose (dual digital transistors) |
| UMD2N | General purpose (dual digital transistors) |
| UMD2NTR | General purpose (dual digital transistors) |
| UMD3N | General purpose (dual digital transistors) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UMC4N-7 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 150mW +/-100mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| UMC4NTR | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL DIG SMT PNP/NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| UMC5 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors |
| UMC5N | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED TRANSISTORS |
| UMC5N-7 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 150mW +/-100mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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