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參數資料
| 型號： | UMD6 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | UMD6 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMH1 | Negative voltage regulators |
| UMH10 | 2 % negative voltage regulators |
| UMH11 | Negative voltage regulators |
| UMH2 | Intelligent quad (2 x 5A/2 x 2.5A) low-side switch |
| UMH3 | Hex precision limiter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UMD6N | 制造商:ROHM 功能描述:INPUT RES PNP+NPN SMD (Surface Mount) Transistor UMT5 / 6 150mW 制造商:ROHM 功能描述:INPUT RES PNP+NPN SMD (Surface Mount) Transistor UMT5 / 6 150mW - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMD6NTN,Transis |
| UMD6NTR | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| UMD9N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LEAK ABSORB PNP+NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LEAK ABSORB PNP+NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 - free partial T/R at 500. |
| UMD9N_10 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) |
| UMD9NTR | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/PNP 50V 70MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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