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參數資料
| 型號： | UMG10N |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | General Purpose(Dual Digital Transistor)(通用(雙數字晶體管)) |
| 中文描述： | 通用（雙數字晶體管）（通用（雙數字晶體管）） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | UMG10N |
(96-388-A113Z)
(94S-811-C113Z)
590
Transistors
UMA10N / FMA10A / IMB17A
UMG10N
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMA10N | General purpose (dual digital transistors) |
| UMG4N | General purpose (dual digital transistors) |
| UMG5N | Emitter common (dual digital transistors) |
| UMG6N | Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發射級(雙數字晶體管)) |
| UMG7N | General Purpose(Dual Digital Transistor)(通用(雙數字晶體管)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UMG11 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | SOT-25VAR |
| UMG11N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMG11NTR,Transi |
| UMG11NTR | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| UMG1N | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors) |
| UMG1NTR | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 30MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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