型號: | UMX11N |
英文描述: | 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM |
中文描述: | 晶體管|晶體管|一對|叩| 20V的五(巴西)總裁| 20mA的一(c)|蘇 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 181K |
代理商: | UMX11N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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UMX12N | 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM |
IMT5A | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
UMX13N | 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM |
UN-231 | Low voltage NPN transistor |
UN-231OP-01 | Complementary silicon power transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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UMX12N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SO |
UMX13N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SO |
UMX18N | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistors (dual transistors) |
UMX18NTN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
UMX1E4R7MCT1 | 制造商:n/a 功能描述:4.7 mf 25 v SMT Alum Electrolytic |