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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UN111D |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UN111D |
1
: 2003
10
SJH00001BJD
UNR111x
(UN111x
)
PNP
■
M
,
,
, P
■
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
UNR1110 (UN1110)
UNR1111 (UN1111)
UNR1112 (UN1112)
UNR1113 (UN1113)
UNR1114 (UN1114)
UNR1115 (UN1115)
UNR1116 (UN1116)
UNR1117 (UN1117)
UNR1118 (UN1118)
UNR1119 (UN1119)
UNR111D (UN111D)
UNR111E (UN111E)
UNR111F (UN111F)
UNR111H (UN111H)
UNR111L (UN111L)
■
T
a
=
25
°
C
)
( )
,
B
R
1
R
2
C
E
Unit : mm
2.5
±
0.1
(1.0)
(
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
6.9
±
0.1
(1.5)
(0.85)
0.55
±
0.1
0.45
±
0.05
(2.5)
(2.5)
2
1
3
R 0.7
R 0.9
(
3
±
0
4
±
0
4
±
0
2
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
(1.5)
(E
)
V
CBO
50
50
100
V
(B
)
V
CEO
I
C
V
mA
P
T
400
mW
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
55
～
+
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111E | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111E | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111H | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UN111E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111X | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
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