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參數資料
| 型號： | UNR3213 |
| 英文描述： | UNR3213 - NPN Transistor with built-in Resistor |
| 中文描述： | UNR3213 - NPN晶體管內置電阻 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | UNR3213 |
Transistors with built-in Resistor
UNR3213
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For digital circuit
I
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
Mounting ratio: 99.9% to 100%
10 000 pcs per 1 reel, reducing reel change frequency.
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
0.1
μ
A
μ
A
I
CEO
I
EBO
V
CBO
0.5
Emitter cutoff current
0.1
mA
Collector to base voltage
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
CE(sat)
50
V
Forward current transfer ratio
80
Collector to emitter saturation voltage
0.25
V
High-level output voltage
V
OH
V
OL
R
1
4.9
V
Low-level output voltage
0.2
V
Input resistance
30%
47
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
f
T
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
2
mA, f
=
200 MHz
150
MHz
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
B
R
1
(47 k
)
R
2
(47 k
)
C
E
1
±
0
±
0
0
5
°
0
0
±
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1
2
3
5
°
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Type Package
Internal Connection
Marking Symbol: 8C
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PDF描述 |
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