欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): UNR32A0
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述: 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 54K
代理商: UNR32A0
Transistors with built-in Resistor
UNR3213
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For digital circuit
I
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
Mounting ratio: 99.9% to 100%
10 000 pcs per 1 reel, reducing reel change frequency.
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
0.1
μ
A
μ
A
I
CEO
I
EBO
V
CBO
0.5
Emitter cutoff current
0.1
mA
Collector to base voltage
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
CE(sat)
50
V
Forward current transfer ratio
80
Collector to emitter saturation voltage
0.25
V
High-level output voltage
V
OH
V
OL
R
1
4.9
V
Low-level output voltage
0.2
V
Input resistance
30%
47
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
f
T
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
2
mA, f
=
200 MHz
150
MHz
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
B
R
1
(47 k
)
R
2
(47 k
)
C
E
1
±
0
±
0
0
5
°
0
0
±
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1
2
3
5
°
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Type Package
Internal Connection
Marking Symbol: 8C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR32A3 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4112(UN4112) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UN4111 Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR4112 Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UN4112 Composite Device - Transistors with built-in Resistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR32A000L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR32A0G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR32A1 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR32A100L 功能描述:TRANS NPN W/RES 35 HFE SSSMINI3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR32A1G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 35HFE SSSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
主站蜘蛛池模板: 邵阳县| 油尖旺区| 合水县| 黎城县| 长宁区| 松江区| 丘北县| 萨嘎县| 桃园市| 太康县| 喀喇沁旗| 西乌| 佛山市| 阜新市| 县级市| 吴江市| 贺州市| 南康市| 墨竹工卡县| 丁青县| 和林格尔县| 蒲城县| 新龙县| 深水埗区| 西盟| 台南县| 乌兰察布市| 太康县| 桦川县| 乳源| 莎车县| 吉木萨尔县| 丽水市| 呼和浩特市| 青浦区| 临沧市| 高淳县| 新绛县| 商洛市| 海城市| 安丘市|