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參數資料
| 型號： | UNR4216(UN4216) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內置晶體管，電阻， |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 540K |
| 代理商： | UNR4216(UN4216) |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
(UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/4218/4219/
4210/421D/421E/421F/421K/421L)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
I
Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
New S type package, allowing supply with the radial taping.
I
Resistance by Part Number
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
G
UNR4211
G
UNR4212
G
UNR4213
G
UNR4214
G
UNR4215
G
UNR4216
G
UNR4217
G
UNR4218
G
UNR4219
G
UNR4210
G
UNR421D
G
UNR421E
G
UNR421F
G
UNR421K
G
UNR421L
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
New S Type Package
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
100
mA
Total power dissipation
P
T
T
j
T
stg
300
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
4.0
±
0.2
marking
2.54
±
0.15
1.27
1.27
3
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
1
2
3
+
B
C
R1
R2
E
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR4214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4215 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4215 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4216 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UNR4217 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR4217(UN4217) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR42170RA | 功能描述:TRANS NPN W/RES 210 HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR4218 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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