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參數資料
| 型號： | UNR6212 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 71 |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | UNR6212 |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR6211/6212/6213/6214/6215/6216/6217/
6218/6219/6210/621D/621E/621F/621K/621L
(UN6211/6212/6213/6214/6215/6216/6217/6218/6219/
6210/621D/621E/621F/621K/621L)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
I Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.
I Resistance by Part Number
(R1)(R2)
G
UNR6211
10k
10k
G
UNR6212
22k
22k
G
UNR6213
47k
47k
G
UNR6214
10k
47k
G UNR6215
10k
—
G UNR6216
4.7k
—
G UNR6217
22k
—
G UNR6218
0.51k
5.1k
G UNR6219
1k
10k
G UNR6210
47k
—
G UNR621D
47k
10k
G UNR621E
47k
22k
G UNR621F
4.7k
10k
G UNR621K
10k
4.7k
G UNR621L
4.7k
4.7k
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Collector current
IC
100
mA
Total power dissipation
PT
400
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
B
C
R1
R2
E
Unit: mm
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
MT-1 Type Pakage
6.9
±0.1
1.05
±0.05
2.5
±0.1
3.5
±
0.1
14.5
±
0.5
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0.15
0.85
0.8
1.0
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
2.5
±0.5 2.5±0.5
2.5
±
0.1
123
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6213 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6214 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6215R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6215S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UNR723100L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9110 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR9110G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9110J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9110J(UN9110J) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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