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參數(shù)資料
| 型號： | UNR9214J(UN9214J) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 1/18頁 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | UNR9214J(UN9214J) |
Transistors with built-in Resistor
1
Publication date: July 2001
SJH00039AED
UNR92XXJ Series (UN92XXJ Series)
Silicon NPN epitaxial planer type
For digital circuit
I Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
SS-mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing.
I Resistance by Part Number
Marking symbol (R1)(R2)
UNR9210J (UN9210J)
8L
47 k
UNR9211J (UN9211J)
8A
10 k
10 k
UNR9212J (UN9212J)
8B
22 k
22 k
UNR9213J (UN9213J)
8C
47 k
47 k
UNR9214J (UN9214J)
8D
10 k
47 k
UNR9215J (UN9215J)
8E
10 k
UNR9216J (UN9216J)
8F
4.7 k
UNR9217J (UN9217J)
8H
22 k
UNR9218J (UN9218J)
8I
0.51 k
5.1 k
UNR9219J (UN9219J)
8K
1 k
10 k
UNR921AJ
8X
100 k
100 k
UNR921BJ
8Y
100 k
UNR921CJ
8Z
47 k
UNR921DJ (UN921DJ) 8M
47 k
10 k
UNR921EJ (UN921EJ)
8N
47 k
22 k
UNR921FJ (UN921FJ)
8O
4.7 k
10 k
UNR921KJ (UN921KJ) 8P
10 k
4.7 k
UNR921LJ (UN921LJ)
8Q
4.7 k
4.7 k
UNR921MJ
EL
2.2 k
47 k
UNR921NJ
EX
4.7 k
47 k
UNR921TJ (UN921TJ)
EZ
22 k
47 k
UNR921VJ
FD
2.2 k
2.2 k
I Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
VCBO
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Collector current
IC
100
mA
Total power dissipation
PT
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
0.27±0.02
3
12
0.12
+0.03
–0.01
0.80
±0.05
(0.80)
0.85
1.60
±0.05
0
to
0.02
0.10
max.
0.70
+0.05 –0.03
(0.375)
5°
5
°
1.60
+0.05
–0.03
1.00±0.05
(0.50)(0.50)
+0.05 –0.03
B
C
E
R1
R2
Internal Connection
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-89
SSMini3-F1 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA102B | 6 CHANNEL, X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UPA102G | 6 CHANNEL, X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UPC2260V-AZ | 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5 |
| UPC2260V | 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5 |
| UPC3033H-AZ | 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.6 V DROPOUT, PSFM4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR9215G0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9215J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR9215J(UN9215J) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR9215J0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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