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參數(shù)資料
型號(hào)： UP04311
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 106K
代理商： UP04311
Composite Transistors
UP04311
Silicon NPN epitaxial planar transistor (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar transistor (Tr2)
1
Publication date: July 2002
SJJ00253BED
For switching
For digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number of Element
UNR2211 (UN2211)
+
UNR2111 (UN2111)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 7X
Internal Connection
Unit: mm
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Tr2
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
50
100
V
Collector to emitter voltage
V
Collector current
I
C
mA
Overall Total power dissipation
P
T
T
j
125
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
50
V
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
0.1
μ
A
0.5
Emitter cutoff current
I
EBO
0.5
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
35
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
High-level output voltage
V
OH
4.9
V
Low-level output voltage
V
OL
R
1
0.2
V
Input resistance
30%
10
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP04313 Composite Device - Composite Transistors
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UP1753 HIGH CURRENT LOW V TRANSISTOR
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參數(shù)描述
UP0431100L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04311G0L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04312 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
UP0431200L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04312G0L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
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