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參數資料
| 型號： | UP2518L-AE3-6-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 低Vce（sat）進步黨硅功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | UP2518L-AE3-6-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
UP2518
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., LTD
1 of 4
QW-R206-083,A
LOW V
CE(S AT )
PNP S ILICON
POWER T RANS IS T ORS
FEAT URES
* Extremely
low collector-emitter saturation voltage
V
CE(SAT)
and
corresponding
extremely low equivalent on-resistance
R
CE(SAT)
(97m
at 1.5A)
*
High collector current capability(1
.5A)
* High peak pulse current up to 6A
*
High collector current gain
SOT-23
1
2
3
*Pb-free plating product number: UP2518L
PIN CONFIGURAT ION
PIN NO.
1
2
3
PIN NAME
EMITTER
BASE
COLLECTOR
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
UP2518L-AE3-6-R
Package
Packing
UP2518-AE3-6-R
SOT-23
Tape Reel
MARK ING INFORMAT ION
Y18
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| UP2-680-R | 功能描述:固定電感器 UP SZ 268UH1.2A RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
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