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參數(shù)資料
型號(hào): UPA2719AGR-E1-AT
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET LV 8SOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫歐 @ 5A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: UPA2719AGR-E1-ATDKR
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