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參數(shù)資料
| 型號： | UPA603T |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| 中文描述： | P溝道MOS場效應管6引腳2電路 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | UPA603T |
μ
PA603T
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
100
50
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
R
D
–1
150
100
50
0
I
D
- Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
R
D
–30
140
120
100
80
60
40
20
T
ch
- Channel Temperature - C
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
–0.5
50
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
–5
500
I
D
- Drain Current - mA
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
0.5
100
10
1
0.1
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
Pulsed
measurement
–4
–8
–12
–16
–20
I
D
= –1 mA
I
D
= –10 mA
–2
–5
–10
–20
–50
–100
T
A
= 150 C
75 C
25 C
–25 C
V
GS
= –4 V
Pulsed
measurement
0
30
60
90
120
150
V
GS
= –4 V
I
D
= –10 mA
100
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
200
100
50
20
10
5
–10
–20
–50
–100
–200
–500
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
DD
= –5.0 V
V
GS
= –4 V
R
G
= 10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
t
r
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PDF描述 |
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