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參數資料
型號: UPA606T
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
中文描述: N溝道場效應晶體管6引腳2體電路開關
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 62K
代理商: UPA606T
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA606T
The
μ
PA606T is a mini-mold device provided with two
MOS FET elements. It achieves high-density mounting
and saves mounting costs.
FEATURES
Two MOS FET elements in package the same size as
SC-59
Complement to
μ
PA607T
Automatic mounting supported
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DSS
50
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
±
20
V
Drain Current (DC)
I
D(DC)
100
mA
Drain Current (pulse)
I
D(pulse)
*
200
mA
Total Power Dissipation
P
T
300 (Total)
mW
Channel Temperature
T
ch
150
C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +150
C
*
PW
10 ms, Duty Cycle
50 %
Document No. G11253EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0
+
0.32
+0.1
0.16
+0.1
2
1
0.95
1.9
0.8
2.9 ±0.2
1.1 to 1.4
0 to 0.1
0.95
PIN CONNECTION
6
5
4
1
2
3
1. Source 1
2. Gate 1
3. Drain 2
4. Source 2
5. Gate 2
6. Drain 1
N-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)
FOR SWITCHING
相關PDF資料
PDF描述
UPA611TA N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
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UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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