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參數資料
型號: UPA650TT-E1-A
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 4/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 6-WSOF
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 610pF @ 10V
功率 - 最大: 200mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WSOF
供應商設備封裝: 6-WSOF
包裝: 帶卷 (TR)
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