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參數資料
| 型號： | UPA893TD-T3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 6V的五（巴西）總裁| 35MA一（c）|的SOT - 363VAR |
| 文件頁數： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | UPA893TD-T3 |
DATA SHEET
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Document No. P15570EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
μ
PA891TC
NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)
IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUMER MINIMOLD
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
FEATURES
Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation
f
T
= 5.0 GHz TYP.,
S
21e
Built-in 2 transistors (2
×
2SC5600)
Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
2
= 4.0 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
BUILT-IN TRANSISTORS
Q1, Q2
3-pin thin-type ultra super minimold part No.
2SC5600
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
μ
PA891TC
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
μ
PA891TC-T1
3 kpcs/reel
Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)
face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
5.5
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
100
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
200 in 1 element
230 in 2 elements
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy substrate
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPAAA-3000 | TASTKODIERSCHALTER DEZIMAL |
| PAPA3000 | TASTKODIERSCHALTER PLUS MINUS |
| UPACA-3000 | TASTKODIERSCHALTER BCD |
| UPB100484D-10 | x4 SRAM |
| UPB1003GS-E1 | Downconverter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA895TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA895TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA895TD-T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA895TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA895TS-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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