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參數(shù)資料
型號(hào): US5U30TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
產(chǎn)品目錄繪圖: US5U Series TUMT-5
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 二極管(隔離式)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 390 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TUMT5
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TUMT5
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: US5U30DKR
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